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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F017B-120F4I |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F017B-120F4I |
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Am29F002B/Am29F002NB
35
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F017B-150E4C | x8 Flash EEPROM |
| AM29F017B-150E4E | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR3717 with Standard Packaging |
| AM29F017B-150E4I | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7832 with Lead Free Packaging |
| AM29F017B-150F4C | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRFSL3206PBF with Standard Packaging |
| AM29F040-120LE | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F017B-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017B-90FC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017D-120EC | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 120NS 48TSOP - Trays |
| AM29F017D-70FI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 70NS 48TSOP - Trays |
| am29f017d-90fc/t | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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