- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362254 > AM29F017B-75F4C x8 Flash EEPROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AM29F017B-75F4C |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 33/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F017B-75F4C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
Am29F002B/Am29F002NB
33
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of data written to device, D
OUT
= data written to device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F017B-75F4I | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRF3415 with Standard Packaging |
| AM29F017B-75FC | 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; Similar to IRFR12N25D with Lead Free Packaging |
| AM29F017B-75FI | x8 Flash EEPROM |
| AM29F017B-90E4C | 12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR3802 with Standard Packaging |
| AM29F017B-90E4E | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F017B-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017B-90FC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29F017D-120EC | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 120NS 48TSOP - Trays |
| AM29F017D-70FI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8 70NS 48TSOP - Trays |
| am29f017d-90fc/t | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。