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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F040 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（524,288 × 8位）的CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/33頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | AM29F040 |
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Am29F040
27
SWITCHING WAVEFORMS
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
Figure 14.
Alternate CE Controlled Program Operation Timings
D
OUT
PD
t
AH
Data Polling
t
DS
t
WS
t
CPH
t
DH
t
CP
t
GHEL
Addresses
WE
OE
CE
Data
5.0 V
DQ7
5555H
PA
A0H
PA
17113E-19
t
WC
t
AS
t
WHWH1
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PDF描述 |
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