參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F080-150SI
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁(yè)數(shù)： 31/39頁(yè)
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代理商： AM29F080-150SI
Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F080-150SIB x8 Flash EEPROM
AM29F080-85EC 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR8113 with Standard Packaging
AM29F080-85ECB 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; Similar to IRLR8113 with Lead Free Packaging
AM29F080-85EI x8 Flash EEPROM
AM29F080-85EIB x8 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F080B-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F080B-120EF 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 8Mbit 1M x 8bit 120ns 40-Pin TSOP
AM29F080B-120SC 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX8,CMOS,SOP,44PIN,PLASTIC
AM29F080B-120SC/T 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 8MBIT 1MX8 120NS 44SOIC - Rail/Tube
AM29F080B-55EF 功能描述:閃存 8M (1MX8) 55ns 5v Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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