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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F100AB-90SI |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 24/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F100AB-90SI |
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Am29F002B/Am29F002NB
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-55
All
others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
20
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F100AT-120EC | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F100AT-120EE | 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package; Similar to the IRFP260N in lead free packaging |
| AM29F100AT-120EI | 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF1312S with Tape and Reel Right Packaging |
| AM29F100AT-120FC | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR024N with Standard Packaging |
| AM29F100AT-120FE | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F100B120EC | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29F100B-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F100B120SC | 制造商:AMD 功能描述:New |
| AM29F100B-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 64K x 16, 44 Pin, Plastic, SOP |
| AM29F100B90SIT | 制造商:AMD 功能描述:New |
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