參數(shù)資料
型號： AM29F200B-120SEB
英文描述： x8/x16 Flash EEPROM
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁數(shù)： 29/39頁
文件大小： 728K
代理商： AM29F200B-120SEB
Am29F002B/Am29F002NB
29
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (
”see “Write Operation Status”).
Figure 12.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關PDF資料
PDF描述
AM29F200B-120SI 12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7476 with Lead Free Packaging
AM29F200B-150EC 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7807A with Lead Free Packaging
AM29F200B-150EE 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRFZ46ZL with Standard Packaging
AM29F200B-150EEB 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; Similar to IRFZ46ZL with Lead Free Packaging
AM29F200B-150EI 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; Similar to IRLU3303 with Lead Free Packaging
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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