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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F200BB-90SI |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 24/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F200BB-90SI |
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Am29F002B/Am29F002NB
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-55
All
others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
20
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F200BT-120DGC1 | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRF1010EZL with Standard Packaging |
| AM29F200BT-120DGE1 | 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRFR9N20D with Standard Packaging |
| AM29F002BB-120EC | -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF5305S with Standard Packaging |
| AM29F002BB-120EE | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002BB-120EI | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F200BT-120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| AM29F200BT-50EE | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 50ns 48-Pin TSOP |
| AM29F200BT-50SI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 50ns 44-Pin SOIC |
| AM29F200BT-55EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 128K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29F200BT-55EE | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP |
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