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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F200BT-120DGE1 |
| 英文描述： | 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRFR9N20D with Standard Packaging |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F200BT-120DGE1 |
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Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F002BB-120EC | -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF5305S with Standard Packaging |
| AM29F002BB-120EE | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002BB-120EI | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002BB-120JC | x8 Flash EEPROM |
| AM29F002BB-120JE | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F200BT-120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| AM29F200BT-50EE | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 50ns 48-Pin TSOP |
| AM29F200BT-50SI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 50ns 44-Pin SOIC |
| AM29F200BT-55EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 128K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29F200BT-55EE | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP |
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