參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F200BT-70SI
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Lead TO-262 package; Similar to IRF1405ZL-7P with Lead Free packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 31/39頁(yè)
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200BT-70SI
Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F200BT-75DGC1 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR3715ZCPBF with Standard Packaging
AM29F200BT-75DGE1 EEPROM
AM29F200BT-75DGI1 EEPROM
AM29F200T-120EI x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200T-120FC x8/x16 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BT-90SC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BT-90SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 90ns 44-Pin SO
AM29F200BT-90SI\\T 制造商:Spansion 功能描述:AM29F200BT-90SI\\T - Tape and Reel
AM29F200BT-90SI\T 制造商:Spansion 功能描述:AM29F200BT-90SI\T - Tape and Reel
AM29F400AB-120DGC1 制造商:Spansion 功能描述:4M FLASH KNOWN GOOD DIE W/ TOP BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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