參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F200BT-90EF
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:2Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:90ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
中文描述： 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 24/41頁(yè)
文件大?。?/td> 818K
代理商： AM29F200BT-90EF
28
Am29F200B
21526D5 March 3, 2009
D A TA
SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-45
-50
-55
-70
-90
-120
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
45
50
55
70
90
120
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
454545454550
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
252525304550
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
tWHWH1
Programming Operation
Byte
Typ
7
s
Word
Typ
12
tWHWH2
tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tRB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
30
35
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F200BB-90DTI1 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, UUC42
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AM29F200T-150FE 256K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, PDSO48
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AM29F200BT-90SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 90ns 44-Pin SO
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