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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F200T-120FC |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 31/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F200T-120FC |
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Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F200T-120FE | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F200T-120FEB | A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP, 59 Amps |
| AM29F200T-120FI | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F200T-120SC | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F200T-120SE | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRFU2407 with Standard Packaging |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120DGC1 | 制造商:Spansion 功能描述:4M FLASH KNOWN GOOD DIE W/ TOP BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| AM29F400AB120EC | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29F400AB-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 44-Pin SO |
| AM29F400AB-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F400AB-75EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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