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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F200T-90FI |
| 英文描述： | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRLU024Z with Standard Packaging |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 35/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F200T-90FI |
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Am29F002B/Am29F002NB
35
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F200T-90SC | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF1902 with Lead Free Packaging |
| AM29F200T-90SE | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F200T-90SEB | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR024Z with Standard Packaging |
| AM29F400AT-150SEB | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; Similar to IRF1010ZL with Lead Free Packaging |
| AM29F400AT-65EE | 100V Single N-Channel Automotive HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; Similar to IRFU3710Z with Lead Free Packaging |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120DGC1 | 制造商:Spansion 功能描述:4M FLASH KNOWN GOOD DIE W/ TOP BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| AM29F400AB120EC | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29F400AB-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 44-Pin SO |
| AM29F400AB-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F400AB-75EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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