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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F200T-90SI |
| 英文描述： | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF3515S with Standard Packaging |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F200T-90SI |
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Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
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