- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362257 > AM29F400A Am29F400A - 4 Megabit (524.288 x 8-Bit/262.144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AM29F400A |
| 英文描述： | Am29F400A - 4 Megabit (524.288 x 8-Bit/262.144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only. Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | Am29F400A - 4兆位（524.288 x 8-Bit/262.144 x 16位），5.0伏的CMOS只。扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F400A |
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30
Am29F002B/Am29F002NB
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
Figure 13.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
Figure 14.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120EE | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; A IRLU120N with Standard Packaging |
| AM29F400AB-120EEB | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F400AB-120FE | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF8113 with Lead Free Packaging |
| AM29F400AB-120FEB | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F400AB-120SE | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRF1407 with Standard Packaging |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120DGC1 | 制造商:Spansion 功能描述:4M FLASH KNOWN GOOD DIE W/ TOP BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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| AM29F400AB-75EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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