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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F400AB-120FEB |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 33/39頁 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | AM29F400AB-120FEB |
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Am29F002B/Am29F002NB
33
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of data written to device, D
OUT
= data written to device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120SE | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRF1407 with Standard Packaging |
| AM29F400AB-120SEB | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; Similar to IRF1407 with Lead Free Packaging |
| AM29F400AB-150EE | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRF3805L with Standard Packaging |
| AM29F400AB-150EEB | 4 Megabit CMOS 5.0 volt-only，sector erase flash memory |
| AM29F400AB-150FE | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F400AB-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 44-Pin SO |
| AM29F400AB-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F400AB-75EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F400AB90SC | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29F400AT-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 44-Pin SO |
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