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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F400AT-65EEB |
| 英文描述： | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRL1104S with Lead Free Packaging |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 31/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F400AT-65EEB |
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Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F400AT-65FE | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; Similar to IRL3713L with Lead Free Packaging |
| AM29F400AT-65FEB | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRF1104L with Standard Packaging |
| AM29F400AT-65SE | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; A IRLR2705 with Standard Packaging |
| AM29F400AT-65SEB | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package; Similar to IRLR2705 with Lead Free Packaging |
| AM29F400B | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F400AT-90SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 256K x 16, 44 Pin, Plastic, SOP |
| AM29F400BB | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| AM29F400BB120EC | 制造商:AMD 功能描述:New |
| AM29F400BB-120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F400BB120SI | 制造商:AMD 功能描述:* |
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