參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F400B-90SEB
英文描述： 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRL2505S with Standard Packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 31/39頁(yè)
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代理商： AM29F400B-90SEB
Am29F002B/Am29F002NB
31
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect (Am29F002B only)
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
Figure 16.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram (Am29F002B only)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F400B-90SI 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRL2505S with Lead Free Packaging
AM29F400BB-45EC 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRL3714ZL with Standard Packaging
AM29F400BB-45EI 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; Similar to IRL3714ZL with Lead Free Packaging
AM29F400BB-45FC A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package. Recommended replacement is IRF6621; A IRF6604 with Standard Tape and Reel Quantity
AM29F400BB-45FI x8/x16 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F400BB 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
AM29F400BB120EC 制造商:AMD 功能描述:New
AM29F400BB-120SC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F400BB120SI 制造商:AMD 功能描述:*
AM29F400BB45EF 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 45ns 48-Pin TSOP
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