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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F400B |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512畝x 8-Bit/256畝x 16位），5.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 728K |
| 代理商： | AM29F400B |
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30
Am29F002B/Am29F002NB
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data
read cycle.
Figure 13.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
Figure 14.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AM29F400B-120EEB | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7466 with Lead Free Packaging |
| AM29F400B-120EI | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29F400B-120FC | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package; A IRLI2910 with Standard Packaging |
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參數(shù)描述 |
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| AM29F400BB120SI | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29F400BB45EF | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 45ns 48-Pin TSOP |
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