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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F800B-120FIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），5.0伏的CMOS只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | AM29F800B-120FIB |
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8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
27
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Write/Erase/Program Operations
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. Not 100% tested.
3. These timings are for Temporary Sector Unprotect operation.
4. Output Driver Disable Time.
Parameter
Symbols
Description
-70
-90
-120
-150
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
30
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read (Note 2)
Min
0
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling (Note 2)
Min
10
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE High to WE Low)
Min
0
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ
7
7
7
7
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ
1
1
1
1
sec
Max
8
8
8
8
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note 2)
Min
50
50
50
50
μ
s
t
VIDR
Rise Time to V
ID
Min
500
500
500
500
ns
t
RP
RESET Pulse Width
Min
500
500
500
500
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay (Note 2)
Min
30
35
50
55
ns
t
RSP
RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
(Notes 2, 3)
Min
4
4
4
4
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F800B-120SC | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| AM29F800B-120SCB | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| AM29F800B-120SE | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F800BB-120DPC1 | 制造商:Spansion 功能描述:5V 8M FLASH KNOWN GOOD DIE W/BOTTOM BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| AM29F800BB120SC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F800BB-55EC | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP |
| AM29F800BB-55EF | 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| AM29F800BB-55EF\\T | 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512K16)BOTTOM SCTOR 100K (CS39S) |
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