參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F800BB-120EC
廠商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： Flash Memory IC; Access Time, Tacc:120ns; Memory Configuration:512K x 16 / 1M x 8; Memory Size:8Mbit; Supply Voltage Max:5.5V; Mounting Type:Surface Mount
中文描述： 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： MO-142DD, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 25/45頁(yè)
文件大?。?/td> 1402K
代理商： AM29F800BB-120EC
March 3, 2009 21504E6
Am29F800B
29
D A TA SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-55
-70
-90
-120
Unit
tELFL/tELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
tFLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
20
30
ns
tFHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
55
70
90
120
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
tELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
tELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
tFHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
Figure 11.
BYTE# Timings for Read Operations
Note: Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.
Figure 12.
BYTE# Timings for Write Operations
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
tHOLD (tAH)
tSET
(tAS)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F800BB-120EF Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:120ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-120SD Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:44-SOIC; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:120ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-55ED Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:55ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
AM29F800BB-70EC Flash Memory IC; Access Time, Tacc:70ns; Package/Case:48-TSOP; Leaded Process Compatible:No; Memory Configuration:512K x 16 / 1M x 8; Memory Size:8Mbit; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Supply Voltage Max:5.5V RoHS Compliant: No
AM29F800BB-70ED Flash Memory IC; Memory Size:8Mbit; Memory Configuration:512K x 16 / 1M x 8; Package/Case:48-TSOP; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
AM29F800BB120SC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F800BB-55EC 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 55ns 48-Pin TSOP
AM29F800BB-55EF 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
AM29F800BB-55EF\\T 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512K16)BOTTOM SCTOR 100K (CS39S)
AM29F800BB-55EF\T 功能描述:閃存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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