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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV001B |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128畝× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 453K |
| 代理商： | AM29LV001B |
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31
Am29LV001B
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system can use OE# or CE# to toggle DQ2/DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended
sector.
21557C-23
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
21557C-24
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
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PDF描述 |
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