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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV008BT90EE |
| 英文描述： | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 29/35頁 |
| 文件大小： | 744K |
| 代理商： | AM29LV008BT90EE |
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Am29LV040B
29
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV008BT90EI | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| AM29LV008BT90FC | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| AM29LV008BT90FE | 100V Quad N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Power MLP package |
| AM29LV008BT90FI | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV010B-45REC | -40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV008DT-90EC | 制造商:Spansion 功能描述:8M (1MX8) 3V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP40, COM - Trays |
| AM29LV010B-45JC | 制造商:Spansion 功能描述:1M (128KX8) 3V, UNIFORM SECTOR, PLCC32, COM - Rail/Tube |
| AM29LV010B-55JCT | 制造商:Spansion 功能描述:1M (128KX8) 3V, UNIFORM SECTOR, PLCC32, COM, T&R - Tape and Reel |
| AM29LV010B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 3V 1MB |
| AM29LV010B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY IC |
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