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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV010B-55EE |
| 英文描述： | 20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 25/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV010B-55EE |
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Am29LV040B
25
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV010B-55EI | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| AM29LV010B-55FC | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| AM29LV010B-55FE | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| AM29LV010B-55FI | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| AM29LV010B-55JC | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV010B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY IC |
| AM29LV010B-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV010B-70JC | 制造商:ADV-MICRO-DEV 功能描述: |
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