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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV017D-90WCC |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 25/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV017D-90WCC |
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Am29LV040B
25
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV017D-90WCI | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV017M | Am29LV017M - 16 Megabit (2 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
| AM29LV040B-120EC | 600V Discrete IGBT in a TO-220AB package |
| AM29LV040B-120EE | 600V Copack IGBT in a D2-Pak package |
| AM29LV040B-120EI | 600V Copack IGBT in a TO-220AB package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV017D-90WCC-T | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV033C-120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 32M-Bit 4M x 8 120ns 40-Pin TSOP |
| AM29LV033C-70EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 4M x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV033C-90EF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:4M X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| AM29LV033C-90WDI-T | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:AMD 功能描述: |
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