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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV065MU90EF |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O⑩ Control |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位）的MirrorBit⑩3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存記憶體與VersatileI /輸出⑩控制 |
| 文件頁數(shù)： | 44/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 778K |
| 代理商： | AM29LV065MU90EF |
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42
Am29LV065MU
September 12, 2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Read-Only Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 11 and Table 12 for test specifications.
3. AC specifications listed are tested with V
IO
= V
CC.
Contact AMD for more information on AC Operation with V
IO
≠
V
CC
.
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
JEDE
C
Std.
90R
101,
101R
112R
112
120R
120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE#, OE# =
V
IL
Max
90
100
110
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
90
100
110
120
ns
t
PACC
Page Access Time
Max
25
30
30
40
30
40
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
25
30
30
40
30
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
25
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
25
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE# or OE#, Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
Figure 14.
Read Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV081B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:IC FLASH MEMORY PARALLEL 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 1M x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV081B-70ED | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Memory IC |
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