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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV081B120EF |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 438K |
| 代理商： | AM29LV081B120EF |
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34
Am29LV081B
21525D6
October 12, 2006
DA T A S HE E T
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
XXX for program
XXX for erase
PA for program
SA for sector erase
XXX for chip erase
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, DQ7# = complement of the data written to the device, D
OUT
= data written to the
device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 22. Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
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PDF描述 |
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