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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV116BT120FI |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV116BT120FI |
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Am29LV040B
23
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Figure 9.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-60R,
-70
-90,
-120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 10.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV116BT70REC | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV116BT70RFC | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV116BT80EC | x8 Flash EEPROM |
| AM29LV116M | Flash Memory |
| AM29LV1282M | 256 Megabit (8M x 32-Bit/16M x 16-Bit) MirrorBit? 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory (Preliminary) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV116BT-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV116DB-70EI | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29LV116DB-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV116DT-70EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 40-Pin TSOP |
| AM29LV116DT-90EI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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