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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV160BB80RECB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16Mb(2M×8位/1Mx16位), 3V, CMOS引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 649K |
| 代理商： | AM29LV160BB80RECB |
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P R E L IM IN A R Y
Am29LV160B
21
valid operation. See “Autoselect Command Sequence”
for more information.
The system must write the Erase Resume command
(address bits are “don’t care”) to exit the erase suspend
mode and continue the sector erase operation. Further
writes of the Resume command are ignored. Another
Erase Suspend command can be written after the de-
vice has resumed erasing.
Notes:
1. See Table 9 for erase command sequence.
2.
See “DQ3: Sector Erase Timer” for more information.
Figure 4.
Erase Operation
START
Write Erase
Command Sequence
Data Poll
from System
Data = FFh
No
Yes
Erasure Completed
Embedded
Erase
algorithm
in progress
21358F-8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV160BB80RWCIB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV160BB90WCIB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV160BB80WCCB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV160BB80RWCCB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV160BT80RSEB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV160BT-120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| AM29LV160BT80SC | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29LV160BT-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV160BT-90FC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| AM29LV160DB120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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