- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362270 > AM29LV160D Am29LV160D - 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV160D |
| 英文描述： | Am29LV160D - 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | Am29LV160D - 16兆位（2米× 8位/ 1個M x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV160D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
30
Am29LV040B
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of the data written to the device, D
OUT
is the data written
to the device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV200BB-120SC | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29LV200BB-120SE | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|SOP|44PIN|PLASTIC |
| AM29LV200BB-120SI | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29LV200BB120WAC | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| AM29LV200BB55RWAI | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV160DB120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV160DB-120EIT | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 16MBIT 2MX8/1MX16 120NS 48TSOP - Tape and Reel |
| AM29LV160DB120WCCT | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| am29lv160db120wcis | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV160DB70EC | 制造商:FLASH29LV160 功能描述:AM29LV160DB-70EC |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。