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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV160MB70REI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142B, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 46/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | AM29LV160MB70REI |
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44
Am29LV160M
25974B5 January31,2007
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Word/Byte Configuration (BYTE#)
Figure 15.
BYTE# Timings for Read Operations
Figure 16.
BYTE# Timings for Write Operations
Note:
Refer to the table
“Erase/Program Operations” on page 45
for t
AS
and t
AH
specifications.
Parameter
Speed Options
J EDEC
Std
Description
70R
85
90
100
Unit
t
ELFL/
t
ELFH
CE# to BYTE# Switching Low or High
Max
5
ns
t
FLQZ
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z
Max
25
30
30
30
ns
t
FHQV
BYTE# Switching High to Output Active
Min
70
85
90
100
ns
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
CE#
OE#
BYTE#
t
ELFL
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FLQZ
BYTE#
Switching
from word
to byte
mode
DQ15
Output
Data Output
(DQ0–DQ7)
BYTE#
t
ELFH
DQ0–DQ14
Data Output
(DQ0–DQ14)
DQ15/A-1
Address
Input
t
FHQV
BYTE#
Switching
from byte
to word
mode
CE#
WE#
BYTE#
The falling edge of the last WE# signal
t
HOLD
(t
AH
)
t
SET
(t
AS
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV160MB70RFI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV160MB90EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV160MB90WAI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 90ns 48-Pin FBGA |
| AM29LV160MT110EI | 制造商:Spansion 功能描述:16M (2MX8/1MX16) 3V, MIRRORBIT, TOP, TSOP48, IND - Trays |
| AM29LV160MT70EI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 16MBIT 2MX8/1MX16 70NS 48TSOP - Trays |
| AM29LV200BB-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:128K X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
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