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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV160MB85FI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位）的MirrorBit?3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | AM29LV160MB85FI |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)當(dāng)前第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)
48
Am29LV160M
25974B5 January31,2007
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array
data read cycle.
Figure 19.
(During Embedded Algorithms)
Data# Polling Timings
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last
status read cycle, and array data read cycle.
Figure 20.
(During Embedded Algorithms)
Toggle Bit Timings
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ15 and DQ7
DQ14–DQ8, DQ6–DQ0
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
t
POLL
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
RY/BY#
t
BUSY
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
Valid Status
(first read)
(second read)
(stops toggling)
Valid Status
VA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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