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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV160MT85EI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit TM 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位）的MirrorBit?3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 54/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 967K |
| 代理商： | AM29LV160MT85EI |
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52
Am29LV160M
25974B5 January31,2007
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Notes:
1.
PA = program address, PD = program data, DQ7# = complement of the data written to the device, D
OUT
= data written to
the device.
Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Word mode address used as an example.
2.
3.
Figure 24.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#,
DQ15
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
t
POLL
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PDF描述 |
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