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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV200BT-120WAK |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kx8Bit/128Kx16位），3.0伏的CMOS引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 716K |
| 代理商： | AM29LV200BT-120WAK |
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October 10, 2006 21521D6
Am29LV200B
35
D AT A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use OE# and CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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