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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV200BT70WAC |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 128KX16/256KX8 |的CMOS | BGA封裝| 48PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 29/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV200BT70WAC |
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Am29LV040B
29
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV200BT70WAE | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| AM29LV200BT70WAI | EEPROM|FLASH|128KX16/256KX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
| AM29LV200BT90WAE | 16-Kb I<sup>2</sup>C CMOS Serial EEPROM, SOT-23 |
| AM29LV200BT90WAI | 16-Kb I<sup>2</sup>C CMOS Serial EEPROM, SOIC |
| AM29LV320DB120EC | EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV256MH120RPGI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8/16MX16 120NS 64BGA - Trays |
| AM29LV256MH123RPGI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV256MH94REI | 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, TSOP56, IND - Trays |
| AM29LV320DB120EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV320DB120WMI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin FBGA |
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