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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV200T-90RFEB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kx8Bit/128Kx16位），3.0伏的CMOS引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 478K |
| 代理商： | AM29LV200T-90RFEB |
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31
Am29LV200
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use OE# and CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
20513D-23
Figure 20.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
20513D-24
Figure 21.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV200T-90RFI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV200T-90RFIB | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV200B-100EC | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV256MH120RPGI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8/16MX16 120NS 64BGA - Trays |
| AM29LV256MH123RPGI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV256MH94REI | 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, TSOP56, IND - Trays |
| AM29LV320DB120EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV320DB120WMI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin FBGA |
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