參數(shù)資料
型號： Am29LV400B-90RWAE
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 4兆位（512畝x 8-Bit/256畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 17/40頁
文件大小： 516K
代理商： AM29LV400B-90RWAE
Am29LV400
24
PREL I M I N AR Y
DC CHARACTERISTICS (Continued)
Zero Power Flash
25
20
15
10
5
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
Su
pp
ly
C
u
rr
en
t
in
mA
Time in ns
Note: Addresses are switching at 1 MHz
20514C-12
Figure 8.
ICC1 Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
Note: T = 25
°C
20514C-13
Figure 9.
Typical ICC1 vs. Frequency
15
10
5
0
1
234
5
3.6
V
2.7 V
Frequency in MHz
Su
ppl
y
Cu
rr
en
t
in
m
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29LV400B-90RWAEB CAP 0.47UF 50V +50-20% X7R SMD-0612 TR-7 PLATED-NI/SN HC-FEEDTHRU
Am29LV400BB70RWACB Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:1206; Series:W3F; Leaded Process Compatible:Yes
Am29LV400BB70RWAE 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
Am29LV400BB70RWAEB 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV400BB70RWAC Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:22pF; Capacitance Tolerance:, -20%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Package/Case:1206; Termination:SMD RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29LV400BB-120EC 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin TSOP
AM29LV400BB-120EI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 48-Pin TSOP
AM29LV400BB-120SC 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOP
AM29LV400BB-120WAI 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin FBGA
AM29LV400BB-55RWAI 制造商:Spansion 功能描述:SPZAM29LV400BB-55RWAI 4M FLASH EOL150606
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