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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29LV641DL121RZE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| 中文描述： | 64兆位（4個(gè)M x 16位），3.0伏的CMOS只均勻部門閃光控制記憶與VersatileI |
| 文件頁數(shù)： | 34/57頁 |
| 文件大小： | 1467K |
| 代理商： | AM29LV641DL121RZE |
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September 20, 2002
Am29LV640D/Am29LV641D
33
Table 11.
Write Operation Status
Notes:
1. DQ5 switches to
‘
1
’
when an Embedded Program or Embedded Erase operation has exceeded the maximum timing limits.
Refer to the section on DQ5 for more information.
2. DQ7 and DQ2 require a valid address when reading status information. Refer to the appropriate subsection for further details.
3. RY/BY# is only available on the FBGA package.
Status
DQ7
(Note 2)
DQ7#
0
DQ6
Toggle
Toggle
DQ5
(Note 1)
0
0
DQ3
N/A
1
DQ2
(Note 2)
No toggle
Toggle
RY/BY#
(Note 3)
0
0
Standard
Mode
Embedded Program Algorithm
Embedded Erase Algorithm
Erase
Suspend
Mode
Erase-Suspend-
Read
Erase
Suspended Sector
Non-Erase
Suspended Sector
1
No toggle
0
N/A
Toggle
1
Data
Data
Data
Data
Data
1
Erase-Suspend-Program
DQ7#
Toggle
0
N/A
N/A
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| Am29LV640DU121RZE | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
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