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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV800BT120FEB |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | REVERSE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 34/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 571K |
| 代理商： | AM29LV800BT120FEB |
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34
Am29LV800B
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
21490E-25
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
21490E-26
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV800BT120FIB | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM29LV800DB-70EF | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90ED | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
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