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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29PDLI27H83VKIN |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | 128兆位（8米× 16位），3.0伏的CMOS只，頁面模式同步讀/寫閃存與增強(qiáng)VersatileIO控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 62/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 750K |
| 代理商： | AM29PDLI27H83VKIN |
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60
Am29PDL127H
June 30, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1.
Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2.
PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3.
DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
Figure 24.
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29PDLI27H88PCI | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| AM29PDLI27H88VKIN | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Page Mode Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| AM29SL400CT100RWAF | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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