參數(shù)資料
型號(hào)： Am29PDS322DB12
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory
中文描述： 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁(yè)模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁(yè)數(shù)： 34/50頁(yè)
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代理商： AM29PDS322DB12
August 7, 2002
Am29PDS322D
33
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
DC CHARACTERISTICS
Zero-Power Flash
Note:
Addresses are switching at 1 MHz
Figure 11.
I
CC1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
25
20
15
10
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
S
Time in ns
15
12
3
0
1
3
5
7
8
Frequency in MHz
S
Note:
T = 25
°
C
Figure 12.
Typical I
CC1
vs. Frequency
2.0 V
6
9
18
2
4
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29PDS322DT12 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory
AM29PL160CB90EI High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-CDIP -55 to 125
AM29PL160CB-120 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory
AM29PL160CB-120EI 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory
AM29PL160CB-120SI 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory
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參數(shù)描述
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