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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29SL400CB110WAD |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 1.8V PROM, 110 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 945K |
| 代理商： | AM29SL400CB110WAD |
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34
March 3, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
10 V
0 or 1.8 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 1.8 V
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL400CT110WAF | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL400CB110WAF | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL400CT110WAI | IR EMITTER GAAS 950NM |
| AM29SL400CB110WAI | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL400CB120WAD | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29SL800DB120WCI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 1.8V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48FBGA - Trays |
| AM29SL800DB90WAD | 制造商:Spansion 功能描述: |
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