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參數(shù)資料
| 型號： | Am29SL800CB120ECB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），1.8伏的CMOS只超低電壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 34/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 549K |
| 代理商： | AM29SL800CB120ECB |
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34
Am29SL800C
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
22230A-25
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
10 V
0 or 1.8 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 1.8 V
22230A-26
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL800CB120EI | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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