參數(shù)資料
型號(hào)： AMB0480xxRJ
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： ADVANCED MEMORY BUFFER FOR FULLY BUFFERED DIMM MODULES
中文描述： 高級(jí)內(nèi)存緩沖的全緩沖DIMM模塊
文件頁(yè)數(shù)： 14/15頁(yè)
文件大?。?/td> 264K
代理商： AMB0480XXRJ
14
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
IDTAMB0480
ADVANCED MEMORY BUFFER FOR FULLY BUFFERED DIMM
MISCELLANEOUS BIAS
BIAS COMPONENTS - RECOMMENDED VALUES AMB0480
AMB0480
V
DD
V
SS
R
1
HVM
TESTLO_AC20
R
SA0
R
2
R
4
R
3
V
SS
V
SS
TESTLO_AB20
SA0
SA0
SPD
Gold Finger
TESTLO_F8
TESTLO_A13
TESTLO_B13
TESTLO_B17
TESTLO_G16
BFUNC
TEST_F9
TEST_A17
TEST_F21
TEST_F22
NC
NC
NC
NC
NOTES:
1. Refer to JEDEC PC2-4200/5300/6400 DDR2 FULLY BUFFERED DIMMDESIGN SPECIFICATIONS, rev 2.0.
2. Component values for the AMB0480 are summarized in the BIAS COMPONENT table.
Schematic Diagram
Reference
RC
12
Value
82
Ω
Description
The impedance of the pull up (PRU) and pull down (PRD) on the AMB DDR Outputs is relatedto RB
12
& RC
12
as follows:
RC
12
= RB
12
= 5.3125 *Desired Output Impedance
A resistor value of 82
Ω
results in an impedance at a JEDEC nomnal value of 15
Ω
. The user can adjust
these value to optimze the DDR output impedance for a DIMMraw card configuration.
DDR Bias
RB
12
82
Ω
RB
18
RC
18
R
L
C
1
C
2
825
Ω
121
Ω
0
Ω
0
Ω
10
μ
F
10
μ
F
51
Ω
100
Ω
Not loaded
Not loaded
0
Ω
0
Ω
825
Ω
Resistor R must be 0
Ω
Inductor L needs to be replaced with a 0
Ω
resistor
PLL and Channel
RPLLTSTO
R
FBDRES
R
1
R
2
R
3
R
4
RSA0
Mscellaneous
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AMB0480xxRJ8 ADVANCED MEMORY BUFFER FOR FULLY BUFFERED DIMM MODULES
AME1084 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
AME1084ACBT 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
AME1084ACCS 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
AME1084ACDT 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AMB0482C1RJ8 功能描述:緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器 RoHS:否 制造商:Micrel 輸入線路數(shù)量:1 輸出線路數(shù)量:2 極性:Non-Inverting 電源電壓-最大:+/- 5.5 V 電源電壓-最小:+/- 2.37 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Reel
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