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參數資料
| 型號： | AMD29DL161DB120EI |
| 元件分類： | EEPROM |
| 英文描述： | EEPROM |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數： | 38/53頁 |
| 文件大小： | 1167K |
| 代理商： | AMD29DL161DB120EI |
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38
Am29DL16xD
July 29, 2002
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70
80
90
120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
80
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
15
15
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
20
20
20
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
30
30
35
50
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
30
30
30
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMD29DL161DB120PCI | EEPROM |
| AMD29DL161DB120WCI | EEPROM |
| AMD29DL162DT90WCI | EEPROM |
| AMD29DL163DB120EI | EEPROM |
| AMD29DL163DB120PCI | EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AMD29DL161DB120PCI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| AMD29DL161DB120WCI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| AMD29DL161DB70EI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| AMD29DL161DB70PCI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| AMD29DL161DB70WCI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
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