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參數(shù)資料
| 型號： | AMD29F010B-120PI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128畝× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 27/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | AMD29F010B-120PI |
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Am29F010B
27
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Alternate CE# Controlled Writes
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter Symbol
Parameter Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Standard
-45
-55
-70
-90
-120
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
45
55
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
35
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
20
20
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time (Note 1)
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
25
30
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Chip/Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec
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