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參數(shù)資料
| 型號： | AMD29F010B-45EE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128畝× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | AMD29F010B-45EE |
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22
Am29F010B
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 7.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-45
All others Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
20
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
2.0
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
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PDF描述 |
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