參數(shù)資料
型號： AOE1000
英文描述： AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC
中文描述： 集成電路放大器輸出相片
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 259K
代理商： AOE1000
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PDF描述
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參數(shù)描述
AOE6922 功能描述:MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 標準包裝:3,000
AOE6930 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 20A, 10V, 0.83 毫歐 @ 30A, 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000
AOE6932 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A, 10V, 1.4 毫歐 @ 20A, 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000
AOE6936 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A, 10V, 2 毫歐 @ 20A, 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA，2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 39W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000
AOEFG118 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:OUTDR EXHAUST FILTER 11.8CFM
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