參數(shù)資料
型號： AOW-4544P-C3310-B-R
廠商： PUI Audio, Inc.
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 0K
描述： MIC CONDENSER ELECT OMNI -44DB
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： AOW
類型： 駐極體電容
輸出類型： 模擬
方向： 全向
靈敏度： -44dB ±3dB
信噪比： 60dB
阻抗： 2.2 千歐
電壓 - 額定： 2 ~ 10V
電流 - 電源： 500µA
端口位置： 頂部
密封等級： IP57
端子： PC 引腳
尺寸/尺寸： 9.70mm 直徑
高度（最大）： 4.70mm
形狀： 圓形
包裝： 散裝
其它名稱： 668-1297
AOW-4544P-C3310-B-R-ND
A-A ( 5 : 1 )
B-B ( 4 : 1 )
Microphone
AOW-4544P-C3310-B-R
J.D.
B.R.
R.W.
10/18/2006
-
Designed by
Checked by
Approved by
Drawn Date
1 / 1
Edition
Sheet
Date
9/20/2010
Date
10/18/2006
Date
10/18/2006
UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED:
DIMENSIONS ARE IN
MILLIMETERS,
TOLERANCES
ARE ±0.5 AND
ANGLES ARE ±3°.
AOW-4544P-C3310-B-R.idw
A3
SIZE
A
B
REVISION HISTORY
LTR
DESCRIPTION
DATE
APPROVED
-
RELEASED FROM ENGINEERING
10/18/2006
A
REVISED IP RATING
6/30/2008
B.R.
B
REVISED TO INVENTOR 3-D DRAWING TEMPLATE
9/20/2010
B.R.
SPECIFICATIONS
PARAMETERS
VALUES
UNIT
DIRECTIVITY
OMINI
-
SENSITIVTY
-44 ± 3
dB
STANDARD OPERATING VOLTAGE
2
Vdc
MAX OPERATING VOLTAGE
10
Vdc
CURRENT CONSUMPTION (MAX)
0.5
mA
IMPEDANCE
2.2
KOhm
SIGNAL TO NOISE RATIO (MIN.)
60
dB
TERMINAL
PIN
-
INTERNAL CAPACITOR
10&33
pF
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PROJECTS UNLIMITED, INC. ANY USE OR
REPRODUCTION, IN ANY FORM, WITHOUT PRIOR
WRITTEN PERMISSION OF PROJECTS UNLIMITED,
INC. IS PROHIBITED.
2003, Projects Unlimited Inc.
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE OR WITHDRAWL
WITHOUT NOTICE.
3. THIS PART IS RoHS 2002/95/EC COMPLIANT.
4. PART IS IP57 RATED.
5. ASSEMBLY IS WASHABLE WITH BOOT IN PLACE.
MICROPHONE
BOOT
ASSYEMBLY
9.7
n`0.1
4.5
`0.2
5
2.5
2
11.5
n`0.1
3
n - 0
0.1
+
9.6
n`0.1
5
`0.1
6.2 - 0
0.1
+
WATERPROOF
BARRIER
TERM 2 (-)
TERM 1 (+)
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PDF描述
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參數(shù)描述
AOW480 功能描述:MOSFET N-CH 80V 15A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOW482 功能描述:MOSFET N-CH 80V 11A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOW4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOW7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOW7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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