參數(shù)資料
型號(hào)： AP1322GEU
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： AP1322GEU
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
20
-
V
ΔBV
DSS/ΔTj
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25℃, ID=1mA
-
0.02
-
V/℃
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=4.5V, ID=600mA
-
600
mΩ
VGS=2.5V, ID=400mA
-
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
0.5
-
1.25
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=5V, ID=600mA
-
1
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current (Tj=25
oC)
VDS=20V, VGS=0V
-
1
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=70
oC)
VDS=16V ,VGS=0V
-
10
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=±8V
-
±30
uA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=600mA
-
1.3
2
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=16V
-
0.3
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
0.5
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=10V
-
21
-
ns
tr
Rise Time
ID=600mA
-
53
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=5V
-
100
-
ns
tf
Fall Time
RD=16.7Ω
-
125
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
38
60
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=10V
-
17
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
12
-
pF
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VSD
Forward On Voltage
2
IS=300mA, VGS=0V
-
1.2
V
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse test.
3.Surface mounted on FR4 board, t ≦ 10 sec.
THIS PRODUCT IS AN ELECTROSTATIC SENSITIVE, PLEASE HANDLE WITH CAUTION.
DEVICE OR SYSTEM ARE NOT AUTHORIZED.
AP1332GEU
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