參數(shù)資料
型號(hào)： AP1A3M
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： SC-43B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 230K
代理商： AP1A3M
Data Sheet D16156EJ2V0DS
2
2SD2403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I&%2
V&% = 80 V, I( = 0
100
nA
Emitter cutoff current
I(%2
V(% = 6.0 V, I& = 0
100
nA
DC current gain
h)(
V&( = 2.0 V, I& = 0.1 A
80
DC current gain
h)(
V&( = 2.0 V, I& = 1.0 A
100
200
400
DC base voltage
V%(
V&( = 2.0 V, I& = 0.1 A
630
670
730
mV
Collector saturation voltage
V&(VDW
I& = 2.0 A, I% = 0.1 A
150
300
mV
Collector saturation voltage
V&(VDW
I& = 3.0 A, I% = 0.15 A
210
500
mV
Base saturation voltage
V%(VDW
I& = 2.0 A, I% = 0.1 A
0.89
1.2
V
Gain bandwidth product
f7
V&( = 10 V, I( =
0.3 A
130
MHz
Output capacitance
CRE
V&% = 10 V, I( = 0, f = 1 MHz
30
pF
Turn-on time
tRQ
150
ns
Storage time
tVWJ
652
ns
Fall time
tI
I& = 1.0 A, V&&= 10 V
I% =
I% = 0.1 A
R/ = 5.0
40
ns
hFE CLASSIFICATION
Marking
GX
GY
GZ
h)(
100 to 200
160 to 320
200 to 400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP1A4A 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
AP1R803GMT-HF 170 A, 30 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP1RA03GMT-HF 185 A, 30 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP20N15GH-HF 20 A, 150 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP2301GN-HF 2.6 A, 20 V, 0.13 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
AP1A4A 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
AP1A4M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
AP1ANC 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TERMINAL ENCLOSE SIDEMNT METAL
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AP1-B 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) SWITCH RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel
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